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TK35N65W,S1F| MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

TK35N65W,S1F

描述 :   MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4100pF @ 300V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 270W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.1mA
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电子元件制造商

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