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GP2M005A060CG| MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

GP2M005A060CG

描述 :   MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

品牌 :   Global Power Technologies Group

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 658pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 98.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
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