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GA10SICP12-263| TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

GA10SICP12-263

描述 :   TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type Junction Transistor, Normally Off
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1403pF @ 800V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Power - Max 170W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 10A
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id -
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电子元件制造商

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