网站首页 > 产品> IPP90R800C3

IPP90R800C3| MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220

IPP90R800C3

描述 :   MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1100pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 104W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 460µA
  • altera fpga 时钟

      新款电源(型号ET4040)满足了高性能FPGA、处理器和存储器严格的内核电压需求。系统设计人员可以利用40A电源,采用单相或者多相配置,高效的...

  • atmel 9g45开发板

      通用嵌入式微控制器在片上使用丰富的外设配合中央处理单元与外部环境进行交互,设计芯片的硬件工程师为了满足不同的通信需求,设计了不同的外设模...

  • atmel触控ic

      半导体整并潮方兴未艾,继安华高(Avago)收购博通(BROADCOM)、英特尔收购ALTERA之后,德国芯片厂戴乐格半导体(dialog SEMICO...

  • vishay电容器

      近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其M39006/33(Style CLR93)钽外壳严格密封的液钽电容器的电容范围。该器件为关键的航空和航...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9