网站首页 > 产品> PMK35EP,518

PMK35EP,518| MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

PMK35EP,518

描述 :   MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 6.9W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 9.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • vishay nobel传感器

      Vishay Intertechnology Inc.已签署协议,收购工业传感器与控制器件供应商SI Technologies,以加强自己在传感器仪表与系统市场中的地位。预...

  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

  • atmel单片机

      每种单片机的型号都是由一长串字母和数字构成,里面包含了芯片生产商、芯片家族、芯片的最高时钟频率、芯片的封装、产品等级等信息。  下面以A...

  • ir vishay

      推出的器件的接近探测距离从10厘米到2米,从最低到最高灵敏度的动态范围超过4。作为接近传感器使用时,TSSP4056适合探测物体的距离,可用于玩...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9