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SCT30N120| MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

SCT30N120

描述 :   MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

品牌 :   STMicroelectronics

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 105nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 400V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 270W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
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