网站首页 > 产品> SCT30N120

SCT30N120| MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

SCT30N120

描述 :   MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

品牌 :   STMicroelectronics

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 105nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 400V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 270W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
  • avago模块

      Avago宣布最新的40G QSFP BIDI 多模光模块,PN AFBR-79EBPZ已经可以批量生产。Avago此款模块主要用于高速数据中心互联和其他...

  • atmel arm9芯片

      atmel的arm9 有AT91RM9200,AT91SAM9系列, 4种芯片可供用户选择,再加上丰富的ARM7系列芯片,atmel应该是目前拥有最丰富的arm芯片线的...

  • vishay场效应管

      场效应三极管SI2305网上近期找货询价较为频繁,其中搜索寻找的对应品牌基本是以VISHAY和SI为主,根据商家最近报价行情来看,总体报价存...

  • 威世vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将于11月9—10日在中国启动威世电阻学院计划。威世电阻学院(Vishay Resistors University)是一个面向设...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9