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IRF5810| MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | * |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Power - Max | 960mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
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