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FDMS3660S_F121| MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

FDMS3660S_F121

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1765pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
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