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FDMS3660S_F121| MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A, 30A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1765pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
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电子元件制造商
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型号 : MSP430F149IPMR-KAM
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