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PMDPB28UN,115| MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

PMDPB28UN,115

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 265pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Power - Max 510mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Supplier Device Package 6-HUSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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