网站首页 > 产品> ZXMP3F37DN8TA

ZXMP3F37DN8TA| MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO

ZXMP3F37DN8TA

描述 :   MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO

品牌 :   Diodes Incorporated

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1678pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.81W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.1A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • vishay薄膜电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条M...

  • atmel 2051

      Atmel公司日前宣布推出其新的基于单周期8051核心(Single-Cycle 8051 Core)的AT89LP系列产品,其速度较标准的8051核心快12倍,这一新的系列...

  • vishay 独石电容

      发布的电容器适合高性能电子设备,包括雷达系统、航空及航天电子等设备中DC/DC转换和功率分配。为保证在这些安全攸关应用中的性能,器件按照M...

  • xilinx 开发板

      在近期举办的嵌入式视觉大会上,来自Xilinx合作伙伴安富利(Avnet)的高级FPGA/DSP设计工程师Mario Bergeron向大家展示了一款双摄像头采...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9