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NVMD6N03R2G| MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

NVMD6N03R2G

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

品牌 :   ON Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 950pF @ 24V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.29W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
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