网站首页 > 产品> SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3| MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

SI7911DN-T1-GE3

描述 :   MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
  • atmel驱动

      Atmel推出内置防盗基站的新一代4通道被动式无钥门禁(PKE)线圈驱动器。全新Atmel ATA5291PKE线圈驱动器可扩展至8条低频(LF)通道,达到...

  • vishay 电位器

      目前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用Bulk Metal®箔工艺的超高精度Accutrim™系列微调电位器 --- 1202系列,该系列器件采用1...

  • vishay semiconductor

      日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出专门为串接太阳能逆变器和中功率不间断电源(UPS)设计的新款IGBT电源模块。Vishay Semic...

  • avago 安华高

      欧盟委员会今日称,欧盟最初曾对这笔交易表示担忧,但安华高科技已经承诺,将以合理的条件向其他芯片厂商授权其知识产权,从而打消了欧盟的顾虑。...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9