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SI7960DP-T1-GE3| MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
SI7960DP-T1-GE3
描述 : MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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