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TPC8213-H(TE12LQ,M| MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

TPC8213-H(TE12LQ,M

描述 :   MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 625pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Power - Max 450mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
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