网站首页 > 产品> APTM60A23FT1G

APTM60A23FT1G| MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

APTM60A23FT1G

描述 :   MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

品牌 :   Microsemi Corporation

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5316pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Power - Max 208W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 276 mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
  • xilinx半导体

      半导体从业者应该很多年没有看过最近两年那么火爆的景象。无论是做材料、设备、晶圆代工、芯片设计还是分销,都迎来了好景气,营收屡创新高,这也...

  • atmel系列

      Atmel将在此次展会上推出的面向物联网市场的全新解决方案包括:  • 低功耗嵌入式处理解决方案  o 业内功耗最低的面向物联网市场的ARM® ...

  • nike maxim

      Maxim Integrated Products, Inc. 宣布2013年公司创立30周年。历经30年技术创新,Maxim发展成为产品遍布世界的全球模拟市场行业翘楚,在多个...

  • vishay bc

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAPTM系列电力双层储能电容器...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9