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APTM120A80FT1G| MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

APTM120A80FT1G

描述 :   MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6696pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Power - Max 357W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 960 mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
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