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APTM100TDU35PG| MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

APTM100TDU35PG

描述 :   MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 186nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5200pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Power - Max 390W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package SP6-P
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
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