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APTM100A12STG| MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

APTM100A12STG

描述 :   MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 616nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 17400pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP3
Power - Max 1250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 34A, 10V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
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