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SI3586DV-T1-E3| MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

SI3586DV-T1-E3

描述 :   MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 830mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
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