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SI1029X-T1-E3| MOSFET N/P-CH 60V SOT563F

SI1029X-T1-E3

描述 :   MOSFET N/P-CH 60V SOT563F

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 305mA, 190mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 30pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 250mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
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