网站首页 > 产品> IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF| MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

IRF8513TRPBF

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 766pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.5W, 2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
  • vishay传感器

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,光电子产品部发布新的探测距离可达1米的高灵敏度接近和环境光传感器---...

  • maxim电子

      Maxim推出MAX77756 24V、500mA、低静态电流(Iq) buck转换器,为多单元、USB Type-C产品的开发者提供灵活的选项,满足其更高电流、双路...

  • atmel触控ic

      半导体整并潮方兴未艾,继安华高(Avago)收购博通(BROADCOM)、英特尔收购ALTERA之后,德国芯片厂戴乐格半导体(dialog SEMICO...

  • avago公司

      希捷公司董事长兼首席执行官Steve Luczo表示:“移动存储和企业级闪存解决方案市场存在众多机遇,所以我们很高兴完成这项战略性的技术收购项目。...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9