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BSO612CVGHUMA1| MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

BSO612CVGHUMA1

描述 :   MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
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