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APTM20DHM08G| MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

APTM20DHM08G

描述 :   MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 208A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) @ Vgs 280nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 14400pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Power - Max 781W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 104A, 10V
Supplier Device Package SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
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