网站首页 > 产品> JAN2N7334

JAN2N7334| MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

JAN2N7334

描述 :   MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package MO-036AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
  • altera 驱动

      Intel今天官方宣布,已经正式完成了对FPGA厂商Altera的收购流程,167亿美元(约合人民币1080亿元)的交易额也已全部以现金方式支付(有钱任性)...

  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

  • vishay micro

      近日,Vishay 宣布,新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBSTrench MOS势垒肖特基...

  • maxim 半导体

      德意志银行的分析师在其最近的调研报告里写到:“我们坚信在现在的半导体环境下,并购会长期存在”,并且他们认为,Maxim是这个“半导体潜在收购...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9