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APTC90H12T1G| MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

APTC90H12T1G

描述 :   MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
FET Feature Super Junction
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6800pF @ 100V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
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