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APTC60HM70BT3G| MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

APTC60HM70BT3G

描述 :   MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 259nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP3
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 39A, 10V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA
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