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APTC80H15T1G| MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

APTC80H15T1G

描述 :   MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

品牌 :   Microsemi Corporation

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4507pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Power - Max 277W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA
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电子元件制造商

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