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SI8900EDB-T2-E1| MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

SI8900EDB-T2-E1

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 10-UFBGA, CSPBGA
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
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电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9