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SP8M4FU6TB| MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

SP8M4FU6TB

描述 :   MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

品牌 :   Rohm Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1190pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
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