网站首页 > 产品> SQ4920EY-T1_GE3

SQ4920EY-T1_GE3| MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

SQ4920EY-T1_GE3

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1465pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 4.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
  • vishay thin film

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的超精密薄膜片式电阻---PLTU,其TCR和公差均比前一代器件有大幅度的改善。Vishay D...

  • vishay电容器

      近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其M39006/33(Style CLR93)钽外壳严格密封的液钽电容器的电容范围。该器件为关键的航空和航...

  • vishay 薄膜电容

      Vishay展示的器件包括牛角式和螺栓式功率铝电解电容器、低压金属化薄膜电容器,以及用于功率电子和功率校正控制器的DC-link和交流滤波电容器。...

  • atmel 型号

      全球微控制器(MCU)和触摸解决方案领域的领导者Atmel公司今日宣布推出Atmel ATPL230A,一款实现了PRIME(电力线智能计量发展)标准物...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9