网站首页 > 产品> DMC6070LND-7

DMC6070LND-7| MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI

DMC6070LND-7

描述 :   MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI

品牌 :   Diodes Incorporated

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 731pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

  • vishay二极管

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的4路ESD保护阵列---VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺...

  • atmel触控ic

      半导体整并潮方兴未艾,继安华高(Avago)收购博通(BROADCOM)、英特尔收购ALTERA之后,德国芯片厂戴乐格半导体(dialog SEMICO...

  • vishay和ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出用于消费类产品中红外遥控应用的两个新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP33xxx和TSOP...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9