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DMG1016VQ-13| MOSFET N/P-CH 20V SOT563

DMG1016VQ-13

描述 :   MOSFET N/P-CH 20V SOT563

品牌 :   Diodes Incorporated

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 870mA, 640mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 60.67pF @ 16V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 530mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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