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在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Power - Max | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
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型号 : MSP430F149IPMR-KAM
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型号 : TMS320F2812PGFAG4
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