网站首页 > 产品> IRF7910TRPBF

IRF7910TRPBF| MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

IRF7910TRPBF

描述 :   MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1730pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
  • atmel收购

      半导体业购并风潮不断,但购并后的产品线与组织调整,才是购并后能否成功的关键。微芯(Microchip)在2016年4月完成对爱特梅尔(Atmel)的收购案,如...

  • vishay / dale

      发布的这颗带三个传感pin脚的电阻采用了独有的加工工艺,实现了50µΩ、100µΩ和125µΩ的极低阻值。低阻值使电阻能测量出更准确的数据,用来判断...

  • vishay 公司

      1A和2A器件的高度为0.65mm,正向压降低至0.36V。显著节省空间并提高功率密度和效率  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代...

  • vishay tvs

      Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超薄DO-214AA封装的新系列表面贴装TransZorb®瞬态电压抑制器(TVS)...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9