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FDMD85100| MOSFET 2N-CH 100V
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2230pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Power - Max | 2.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power 5x6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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