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SQJ960EP-T1_GE3| MOSFET 2N-CH 60V 8A

SQJ960EP-T1_GE3

描述 :   MOSFET 2N-CH 60V 8A

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 735pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Power - Max 34W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
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