网站首页 > 产品> ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA| MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

ZXMN2A04DN8TA

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

品牌 :   Diodes Incorporated

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 22.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1880pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
  • altera 型号

      可程式逻辑闸阵列(FPGA)大厂阿尔特拉(Altera)宣布开始提供新款电源转换解决方案,方便了电路板开发人员设计负载点电源配置,以最低的系统功率...

  • vishay传感器

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,光电子产品部发布新的探测距离可达1米的高灵敏度接近和环境光传感器---...

  • vishay 陶瓷电容

      日前,Vishay宣布推出通过AEC-Q200认证的,用于电动和插电式混合动力汽车的交流线路的新系列圆片陶瓷安规电容器---AY2系列。  新的Vish...

  • xilinx 开发板

      在近期举办的嵌入式视觉大会上,来自Xilinx合作伙伴安富利(Avnet)的高级FPGA/DSP设计工程师Mario Bergeron向大家展示了一款双摄像头采...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9