网站首页 > 产品> CSD85312Q3E

CSD85312Q3E| MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

CSD85312Q3E

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

品牌 :   Texas Instruments

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2390pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Supplier Device Package 8-VSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
  • atmel can

      MYC-JA5D2X核心板的推出源于米尔科技在ATMEL平台多年的积累,配合之前推出的MYC-SAMA5D4X核心板、MYC-SAMA5D3核心板...

  • vishay钽电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • altera半导体

      据外媒 Electronicsweekly报道,Altera公司日前宣布推出Quartus II软件13.1版,进一步提高了用户的效能和20%性能优势,在Quartus II软件1...

  • vishay bc components

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,常用的VY1和VY2系列交流线路瓷片安规电容器新增采用Y5V陶瓷电介质...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9