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CSD88539ND| MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

CSD88539ND

描述 :   MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

品牌 :   Texas Instruments

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 741pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
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电子元件制造商

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