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FDD3510H| MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A, 2.8A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-4L |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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