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DMN2013UFX-7| MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
DMN2013UFX-7
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
品牌 : Diodes Incorporated
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57.4nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2607pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Power - Max | 780mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | * |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
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