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FDC3601N| MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

FDC3601N

描述 :   MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 153pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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电子元件制造商

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