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DMN3190LDW-13| MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

DMN3190LDW-13

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

品牌 :   Diodes Incorporated

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 87pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 320mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
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