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APTM100H45SCTG| MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

APTM100H45SCTG

描述 :   MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

品牌 :   Microsemi Corporation

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 154nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4350pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP4
Power - Max 357W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package SP4
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
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