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EPC2105ENG| TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

EPC2105ENG

描述 :   TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

品牌 :   EPC

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 300pF @ 40V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Supplier Device Package Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA
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电子元件制造商

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