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EPC2108ENGRT| TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

EPC2108ENGRT

描述 :   TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

品牌 :   EPC

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 100V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 22pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA
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