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SI7900AEDN-T1-E3| MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

SI7900AEDN-T1-E3

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
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