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DMG8601UFG-7| MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

DMG8601UFG-7

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

品牌 :   Diodes Incorporated

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 143pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerUDFN
Power - Max 920mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN3030-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA
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