网站首页 > 产品> DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13| MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

DMN6070SSD-13

描述 :   MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

品牌 :   Diodes Incorporated

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 588pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • vishay intertechnology

      日前,Vishay Intertechnology宣布推出新型 2.4GHz ISM 收发器模块系列,该系列器件支持七个工作信道,每个信道均具有独特的直接序列扩频 ...

  • 威世vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将于11月9—10日在中国启动威世电阻学院计划。威世电阻学院(Vishay Resistors University)是一个面向设...

  • altera fpga 时钟

      新款电源(型号ET4040)满足了高性能FPGA、处理器和存储器严格的内核电压需求。系统设计人员可以利用40A电源,采用单相或者多相配置,高效的...

  • atmel 32

      Atmel公司近日宣布,公司基于ARM? Cortex?-M0+的MCU已达到了一个全新的低功耗标准,将活动模式下的功耗降至40 μA/MHz,并将睡眠模式...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9