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FDC6506P| MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6

FDC6506P

描述 :   MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 190pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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